04月
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写入速度比U盘快1万倍 中国科学家开创第三类存储技术
国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”数据读写速度，还可按需定制存储器的数据存储周期。（新华网）原文链接
国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉，张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”数据读写速度，还可按需定制存储器的数据存储周期。（新华网）原文链接
