03月
30
消息称三星电子投资8英寸SiC功率半导体
据业内人士称，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺。今年早些时候，在组建了与SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）器件开发相关的功率半导体TF后，该公司正积极投资研发和原型生产所需的设施，迄今为止的投资额已超过1000亿至2000亿韩元。（财联社）原文链接
据业内人士称，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺。今年早些时候，在组建了与SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）器件开发相关的功率半导体TF后，该公司正积极投资研发和原型生产所需的设施，迄今为止的投资额已超过1000亿至2000亿韩元。（财联社）原文链接
