11月
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重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍，目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面。电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。（重庆日报）原文链接
重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍，目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面。电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。（重庆日报）原文链接
