08月
26
三星：3纳米GAA制程研发进度领先台积电
据报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung25日在一场网络技术论坛中表示，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构，将之由鳍式场效电晶体（FinFET）的3D转为GAA的4D。（界面）原文链接
据报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung25日在一场网络技术论坛中表示，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构，将之由鳍式场效电晶体（FinFET）的3D转为GAA的4D。（界面）原文链接
